Görsel mevcut değil
2N1890S
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN TRANSISTOR
2N1890S Hakkında
2N1890S, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-39 metal kaplı DIP paketinde gelmektedir. 500 mA maksimum collector akımı, 100 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 80 V collector-emitter breakdown voltajı özellikleriyle orta güç uygulamalarında kullanılır. 800 mW maksimum güç derecelendirilmesi ile ses frekans amplifikatörleri, anahtarlama devreleri ve genel amaçlı sinyal işleme uygulamalarında yer bulur. -65°C ile 200°C arasında çalışabilme kabiliyeti, geniş sıcaklık aralıklı ortamlarda kullanımı mümkün kılar. Through-hole montajı ile PCB tasarımında geleneksel lehimleme teknikleri uygulanır.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
800 mW
Supplier Device Package
TO-39 (TO-205AD)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
5V @ 15mA, 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V