Görsel mevcut değil
2N1711
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN TRANSISTOR
2N1711 Hakkında
2N1711, Microchip Technology tarafından üretilen bir NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, düşük ve orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-5 metal can paketi ile sunulan bu transistör, 500mA maksimum collector akımı ve 800mW güç yönetim kapasitesine sahiptir. 100 minimum DC akım kazancı (hFE) ile, 50V collector-emitter breakdown voltajı ve -65°C ile +200°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığında çalışabilir. Anahtarlama devrelerine, küçük sinyal amplifikasyonuna ve genel amaçlı BJT uygulamalarına uygundur.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
800 mW
Supplier Device Package
TO-5
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 15mA, 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V