Görsel mevcut değil
2N1613
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN TRANSISTOR
2N1613 Hakkında
2N1613, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). Through-hole TO-39 metal can paketinde sunulan bu bileşen, 500mA maksimum collector akımı ve 800mW güç sınırlaması ile orta güç uygulamalarına uygundur. -65°C ile 200°C arası geniş çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilen 2N1613, anahtarlama ve amplifikasyon devreleri, ses amplifikatörleri, darbe kontrolü sistemleri ve endüstriyel kontrol uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 30V breakdown voltajı ve 1.5V saturation voltajı ile tasarlanmıştır.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 150mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
800 mW
Supplier Device Package
TO-39 (TO-205AD)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 15mA, 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V